商报讯（记者 杨江 通讯员 续大治 周晓）近日，由市经信委、市科技局、鄞州区政府主办的新一代存储技术（中国）论坛在鄞州区举行，８位享誉国际产业界、学术界、技术研究领域的专家，围绕新一代存储技术的先进性、稳定性、可发展性进行了阐述和探讨，给国内外先进半导体技术提供了一个交流的平台。记者在论坛获悉，宁波重大产业项目———宁波时代全芯ＰＣＭ（利用相变技术生产的相变存储器）芯片建设项目已完成科题研发，初步实现实验室量产，预计将于明年实现量产并投入市场。

　　据悉，相变存储技术是目前世界上最先进的存储技术，之前该项技术被国外的三星、美光两家企业垄断。而宁波时代全芯科技有限公司则是目前中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业。宁波时代全芯科技有限公司董事长张龙表示，为了研发出新一代存储技术的芯片，他们公司的研发团队用了三年时间，已经掌握相关专利５０多项。

　　“与当今市场上的闪存等普通芯片相比，相变存储芯片一改以往存储模式，而是利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据，每０．１８毫米宽就能存储４兆（ＭB）信息。此外，这种芯片的执行速度也将比现有的普通存储芯片快近千倍，耐久性更高出近万倍。”张龙介绍，公司项目一期已投资２．５亿美元，预计５年内启动二期项目，完成总投资２０亿美元，项目建成后形成一套研发、生产具有完整知识产权的芯片产品。